工業級40%氫氟酸金屬離子雜質會影響柵氧化層的少子壽命、表面電導率、完整性和穩定性參數。在高溫或電場的作用下，金屬離子雜質會擴散到半導體表面或擴大其在半導體表面的分布，導致半導體性能下降。未來，電子級氫氟酸對金屬離子含量的要求越來越高。因此，金屬離子的分析和測試方法也在不斷改進。目前，測定金屬中微量元素的常用方法有發射光譜法、原子吸收光譜法、火焰發射光譜法、，石墨爐原子吸收光譜法、等離子體發射光譜法（ICP）和電感耦合等離子體質譜法（ICP-MS）已成為分析金屬中微量元素和電子氫氟酸中金屬雜質的主要方法。

　　工業級40%氫氟酸顆粒的檢測方法

　　顆粒主要通過范德華引力吸附在晶圓表面，這會影響光刻所需的幾何和電學參數的形成。隨著集成電路技術的不斷進步，對顆粒尺寸的要求越來越高

　　體積小，雜質含量要求越來越低。顆粒檢測技術已從顯微鏡法、庫爾特法、光阻擋法發展到激光光散射法。近年來，激光粒度測量技術發展迅速，具有測試速度快、分辨率高、重復性好等特點。

　　工業級40%氫氟酸隨著技術的發展，人們對離線分析（實驗室取樣分析）的興趣并不滿足，這有利于在線檢測分析的快速發展。然而，在線檢測解決了氣泡夾帶的干擾問題，并且檢測器中的氣泡可以記錄為粒子，這影響了實際檢測結果的準確性。氣泡的主要來源是樣品中的溶解氣體、振蕩或攪拌產生的氣泡以及高溫樣品的揮發氣泡和管道密封不嚴引起的氣泡。目前，顆粒物在線檢測主要采用間歇在線采樣和加壓注射的方法來解決氣泡干擾問題。